溅射靶材在很多行业应用生产都有非常重要的作用，尤其是在半导体生产上对电子元器件产品性能的提升有很大的帮助，高阻溅射靶材是电阻器生产的重要材料，这种技术的使用可以有效提高合金电阻器的性能，那么高阻溅射靶材如何制造合金电阻器呢，下面我们来进行分析。
目前很流行制造金属膜电阻器一般采用热压成型高阻靶材产品，可以克服由于Si元素含量偏高引起的靶材脆性较高，容易开裂的难题；所制造的靶材晶粒尺寸细小、大小分布均匀、致密度高、外部无裂纹、内部无孔隙，能够有效提升金属膜电阻器的质量和薄膜沉积速率。同时在合金熔炼过程中添加少量稀土元素能够减少Zr元素在合金组织中的偏聚现象，改善靶材成分分布均匀性。它的制造流程如下：
一、高阻溅射靶材配料：组分为Si、Cr、Ni、Al、Zr及稀土金属；重量比为，Si：30-70%，Cr：25-50%，Ni：2-20%，Al：0.5-5%，Zr：0.5-5%，其中五元素质量百分比总和为100%，稀土金属添加量为五元素总质量的0.1-2.5%；
二、高阻溅射靶材熔炼：采用真空感应熔炼炉制备合金铸锭；
三、高阻溅射靶材制粉：将合金锭制成所需粉料；
四、高阻溅射靶材热压成型：定量称取合金粉料装入热压烧结炉热压成型；
五、高阻溅射靶材机加工：对烧结后样品进行表面抛光及外形加工处理。
由上五点制造流程，而制造这些靶材需要的稀土金属包括Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu中的一种或几种。高阻溅射靶材的真空感应熔炼炉可以是真空感应悬浮熔炼炉，熔炼功率为45KW—60KW，熔炼过程3—5分钟，在惰性气体保护下进行。高阻溅射靶材的制粉，其粉料粒度为小于500μm。高阻溅射靶材热压成型，热压炉内真空度高于1×10-2Pa，烧结温度为1030-1100℃，成型压力为15-35MPa，保温保压1-4小时。
通过高阻溅射靶材所制造靶材晶粒尺寸细小、大小分布均匀、致密度高、外部无裂纹、内部无孔隙，能够有效提升金属膜电阻器的质量和薄膜沉积速率，而且成品率高，易于规模化生产。目前国际市场上生产电阻器的公司都在采用这种制造方法，而且在高阻溅射靶材的选择上也进行多层选材，以便提高生产效率。
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