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Tantalum_Ta

Ta.jpg


材料Tantalum
化学成分Ta
原子量180.94788
原子序数73
纯度3N5-5N
颜色/外观灰蓝色/金属
导热性57 W/m.K
熔点 (°C)2,996
热膨胀序数6.3 x 10-6/K
理论密度 (g/cc)16.6
Z 比率0.262
溅射直流
最大功率密度*                                        (瓦/平方英寸 )80
背板连接


溅射是薄膜沉积的制造过程,是半导体,磁盘驱动器,光盘和光学器件行业的核心。

对于电子层面, 溅射是指由高能粒子冲击靶材而将原子从靶材或源材料上喷射出来,沉积在基板(如硅晶片、太阳能电池板或光学器件)的过程。溅射过程开始前,将要镀膜的基板放置在含有惰性气体(通常是氩气)的真空室中,在靶源上施加负电荷,然后靶源沉积到基板,引起等离子体发光。

溅射率因冲击粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相对质量、靶原子的表面结合能的不同而变化。物理气体沉积的几种不同方法被广泛的应用于溅射镀膜机,包括离子束、离子辅助溅射、氧气环境下反应溅射、气流和磁电管溅射。

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