高纯金属靶材具有超大尺寸、高密度、高纯金属靶材，高纯金属靶材是属于新型的离子溅射镀膜靶材料。可广泛应用于显示屏的阻挡层或调色层，笔记本电脑的装饰层、电池的封装、太阳能（光伏）电池的阻挡层，具有很好市场前景和经济效益。
高纯金属靶材中的钨靶材主要用作金属层间的通孔和垂直接触的接触孔的填充物，即钨塞。而钨合金靶材，如WSi2，主要用在栅极多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。随着半导体芯片尺寸越来越小，铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的增加，这已成为制约半导体工业发展的一个技术瓶颈。有研究表明，难熔金属钨有望取代铜成为下一代的半导体布线金属材料。
钨金属具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，钨金属合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能。由于钨合金靶材系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，钨金属靶材世界用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加，国际太阳能电池市场以100%的速度增长。
金属靶材中的钨靶材特点为，喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均透明纹理的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏转角力为500Mpa左右的特性；提高未加工金属粉末的生产，提高烧结的能力，可以使钨靶的成本稳定在一个低价位。烧结后的钨靶密度高，具有传统的压制烧结方法所无法达到的高水准的透明框架，并且明显改善了偏转角力，以致颗粒物显著的减少。
钨靶合金靶材作为物理气相沉积用溅射靶材，在半导体领域用于制作栅电极、连接布线、扩散阻挡层等。金属靶材中的钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等领域，而且这些市场将来会有更广阔的市场空间。
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