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新型碳同素异形体性能强过的GaN,石墨烯

最近一期的科学杂志“低碳”上,研究人员在文中探讨这种新型碳同素异形体的结构 - ,并认为它很可能发展成为促进电子产业重大进展的材料。

该计划同时也是阿拉伯联合酋长国(阿拉伯联合酋长国)政府因应2017年9月启动“第四次工业命“(Fourth Industrial Revolution)政策所需创新与未来技术的一部分。

美国核子化学家兼Alfields首席科学家Larry Burchfield说:“protomene碳同素异形体及其重要的特性,一直是具前瞻性思维的创新人员和制造商在近几十年来的愿望清单,而现在我们将真正实现这种材料“。

最终为半导体,光电,涂料和节能等领域带来了十分有利的影响力。”


Alfields说,这可能是自诺贝尔奖得主Robert F. Curl Jr.,Sir Harold W. Krotoand和Richard E. Smalley发现富勒烯(fullerenes)以来的第一个新的碳同素异形体类型,同时也是自2010年诺贝尔奖得主Andre Geim与Konstantin Novoselov发现石墨烯以来最重大的进展。

研究人员并进一步与位于阿布扎比的哈利法科技大学(Khalifa University of Science and Technology)合作,共同展开实际制造protomene的下一阶段计划。

Protomene经证实是一种极具潜力的新型直接能隙半导体。其能隙(band gap)十分接近于GaN--在室温下,GaN的能隙约为3.4eV。因此,protomene拥有与GaN类似的半导体特性,使其能够应用于具有高击穿电压的高功率和/或高频电子组件。

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不过,由于氮化镓是一种二位的化合物,在其晶体生长过程中不易控制成份,而protomene则是单元素的碳同素异形体,对于缺陷的掌握度可能比的GaN更好。由于间隙幅度位于可见光谱的蓝色端附近,protomene可望在光电组件中找到新的应用,例如产生LED的蓝光或紫外光(UV),或是作为光学用的UV滤光器。

此外,以能隙的观点来看,protomene可能比碳纳米管和石墨烯更适用于许多半导体组件中。事实上,无论是金属还是半导体,目前制造碳纳米管的障碍之一就在于对其进行控制。相反地,Protomene预计将会是一种随温度变化的半导体。


探索新的同素异形体

protomene的热膨胀很可能会发生在板间的结合上。当温度升高时,从低温半导体的48原子单元结构,转变为高温金属的24原子单元结构特性,可能发生结构相变。随着相变的发生,能隙将迅速收敛,其速度甚至比在钻石和硅中的衰变和热膨胀更快得多。

因此,这种相变将提供灵敏的温度控制光学滤波器。最终并转变为protomene的高温无二聚体金属,同时还具有潜力实现温度控制光电开关等应用。

几十年来,追求新的碳同位素,已成为日益积极活跃的研究领域了。碳同素异形体具有各种结构和电子特性,促进了广泛的研究兴趣。

碳通常具有三种极具竞争力的不同轨域混成类型--sp,SP2和SP3。这可让碳原子分别以多种不同的方式相互结合。


sp3的配置产生具有绝缘特性和高刚度的三维(3D)网络,如立方体和六角形钻石。相对地,sp(线性)和sp2(平面)混成则实现灵活的结构,如卡拜石墨烯,这些结构通常具有小的电子带间能隙或甚至是金属特性。中间混成也很常见,例如富勒烯和纳米管。

protomene是一种基于结合SP2和SP3混成的全新稳定碳结构,其中24个原子中的6个能够采用完全平面的sp2的几何形状,因而能从平面中移出,而与下一个垂直堆栈晶格中的配对原子形成相对较弱的键。这种额外的键合形成将使总能量每键降低约1电子伏特,从而引起电子特性的明显改变。


编译:Susan Hong

文章来源:eMedia Asia Ltd.


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标签:    GaN 石墨烯