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硅基板

晶圆,是纯硅(99.9999%)制成的一片片薄薄的圆形硅芯片。
因其形状为圆形,故称为晶圆。

NEXTECK提供的晶圆分成
半导体用硅晶圆材料和太阳能电池用硅晶圆材料两种。


NEXTECK提供的半导体用的硅晶片主要集中在4~6 inch,具体的规格如下:

参数导体晶片规格
4 inch5 inch6 inch
电阻率(Ω/cm)P-Type doped: Boron, 0.001-0.01, 0.01-0.5, >0.5 P++, P+, P-
N-Type doped: As, Phos, Sb, 0.001-1, 1-150
径公差(mm)±0.2±0.2±0.2
定向公差(100), (111)(100), (110), (111)(100), (110), (111)
定向公差±0.15°±0.15°±0.15°
边缘轮廓T/RT/RT/R
边缘条件11/22 Ground11/22 Ground11/22 Ground/Polished
厚度(μm)300-650400-650550-750
厚度公差(μm)±15±15±15
背面处理EtchPolySiO2EtchPolySiO2EtchPolySiO2
弓度(μm)±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)
翘曲(μm)2525(Before CVD)2525(Before CVD)2525(Before CVD)
选项Laser marking, Poly-back, SiO2 seal, Back side damage


NEXTECK提供的太阳能级别的晶硅产品可分为单晶硅和多晶硅两种,我们可根据客户的需求有不同的规格。一般的规格如下:

参数單晶矽晶圓規格多晶矽晶圓規格
种类156*156mm(单晶片)156*156mm (多晶片)
长方式CZ
类型PP
掺杂物
晶向<100>+/-3 deg
含碳量(atom/cm3)< 5*1016< 5*1017
含氧量(atom/cm3)< 1.1*1018< 1*1018
腐蚀坑缺陷(/cm3)<= 3000
电阻 (ohm-cm)0.5~3/3~60.5~3
载流子寿命  (μs)>10>=2
尺寸 (mm)156+/-0.5156+/-0.5
厚度(μm)200+/-20200+/-20
厚度偏差 (μm)<=30<=30
弓度/曲度 (μm)<100<50 / <100
表面见损伤深度 (um)<=15<=20

崩边深度

Depth0.5mmDepth0.5mm
Vertical1.0mm, Length3.0mm, 
Defect2Defect2


立承德集团( NEXTECK )致力于太阳能光伏供应多年,我们与国内许多知名太阳能光伏组件生产厂家建立了长期合作关系,产品远销欧美和东南亚许多国家。

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