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铜合金材料随着厚度的增加应变能力有什么不同

在某种程度上,只需添加更多的铜合金材料平面即可保持基本的fcc结构。然而,随着厚度的增加,相干应力以及因此的应变能也增加,这是不受欢迎的。这限制了Q '' 沉淀物的生长。尽管Q ''沉淀物形成并生长,但与起始值相比,铜合金材料的过饱和度仍然大大降低。在GP区域和Q ''沉淀形成期间,仍然存在一些成核现象-所有过程总是并行发生,只是速率不同。铜合金材料缺陷的异质成核是目前的首选模式。与上面描述的相比,您只需要获得更多的Cu原子。这比较麻烦并且需要更长的时间,但最终它将获胜。

电热合金

这些铜合金材料沉淀物立即从三维方向开始-但仍不是正确的Q相。这就是为什么我们称它们为Q '沉淀。这是它们的结构在某种程度上,您只需添加更多的铜合金材料平面即可保持基本的fcc结构。然而,随着厚度的增加,相干应力以及因此的应变能也增加,这是不受欢迎的。这限制了Q '' 沉淀物的生长。尽管Q ''沉淀物形成并生长,但与起始值相比,铜合金材料的过饱和度仍然大大降低。在GP区域和Q ''沉淀形成期间,仍然存在一些成核现象-所有过程总是并行发生,只是速率不同。铜合金材料缺陷的异质成核是目前的首选模式。与上面描述的相比,您只需要获得更多的铜合金材料原子。这比较麻烦并且需要更长的时间,但最终它将获胜。

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铜合金材料在开始时,只有解决方案硬化。这将给出红色曲线,其后是红色点,并且由于溶解的铜原子的浓度降低,硬度降低。固溶硬化是众所周知的,移动位错所需的硬度或(更好)临界剪切应力t sol与溶质原子的浓度 c sol之间的一般关系为因为形成了GP区,所以溶解的Cu原子的浓度下降。它们影响位错运动的方式与单个溶质原子没有太大不同。刚开始时,我们只有少数几个比其余溶解的Cu原子效力低的小分子。但是随着时间的流逝,越来越多的GP区域被形核,它们的密度增加,并且感觉到它们对硬度的影响。


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